Celda de memoria
La celda de memoria o posición de
memoria es el elemento fundamental en el que se basa la memoria informática.
Las unidades de memoria son módulos conformados por un conjunto de cerrojos o
condensadores agrupados de tal formas que almacenan varias palabras binarias de
un bits. Cada una de ellas tiene la capacidad de almacenar un bit de
información (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de memorias. Estas
celdas o bits de memorias se ubican mediante la fila y la columna en la que se
encuentran.
celda de memoria
PROPÓSITO DE UNA
CELDA DE MEMORIA
Independientemente
de la tecnología usada para su implementación, el propósito de una celda de
memoria es siempre el mismo: Almacena un bit de información binaria y debe ser
activado para almacenar un 1 y reseteado para almacenar un 0.
La celda
de memoria es el elemento básico fundamental de las memorias electrónicas. Se
puede implementar usando múltiples tecnologías como por ejemplo:
Bipolar, MOS, y otros dispositivos semiconductores,
también pueden estar compuestos por materiales magnéticos como núcleos de ferrita o memoria de burbuja.
HAY TRES TIPOS
DE MEMORIA MAS USADOS EN LA ACTUALIDAD
ü Celda de memoria DRAM
Este
tipo de memoria conocida como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia
de la memoria estática se compone de celdas de memoria construidas con
condensadores. Las celdas de memoria son fabricación más sencillas en
comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir
memoria de gran capacidad.
·
FUNCIONAMIENTO
La operación de la celda es
similar a la de un interruptor, cuando el estado en la fila se encuentra en
alto, el transistor entra en saturación y el dato presente en el bus interno de
la memoria (columna). Se almacena en el condensador, durante una operación de
escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene
este tipo de memoria consiste en que hay que recargar la información almacenada
en las celdas, por lo cual estas requieren de circuitería adicional para cumplir
esta función.
ü Celda de memoria SRAM
Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static
Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por Flip-Flops
construidas generalmente con transistores MOSFET,
aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores
bipolares.
·
FUNCIONAMIENTO
La celda se activa mediante un nivel activo a la entrada superior y los datos se cargan o se leen a través de las líneas laterales. Las celdas de memoria se agrupan en filas y columnas para conformar el arreglo básico de la memoria. La disposición de las celdas de memoria en una SRAM, cada una de las filas se habilita de forma simultánea para recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida
ü BIESTABLE
Existen múltiples implementaciones de
biestables. Su elemento de almacenamiento suele ser un LATCH implementado con
un lazo de puertas NAND o un lazo de puertas NOR más otras puertas adicionales
para implementar sincronismo. Su valor está siempre disponible para su lectura
como una salida. Dicho valor se mantiene almacenado estable hasta que es
cambiado por el proceso de activación o reseteo.
